讲座主题：二维反铁磁拓扑绝缘体中的量子几何特性

专家姓名：高安远

工作单位：上海交通大学

讲座时间：2024年10月18日14:00-15:00

讲座地点：二教104

主办单位：烟台大学核装备与核工程学院

内容摘要：

探索和操控新奇的拓扑量子现象是物理学发展的重点研究方向之一。二维材料因其独特的层属性，为新奇量子现象的发现提供了新思路。本次报告，将以二维反铁磁拓扑绝缘体MnBi2Te4为例，讲述二维层状材料中的量子几何引起的有趣量子现象：

1. 层霍尔效应——量子几何虚部Berry curvature与二维材料的层锁定引起的；

2. 量子度规非线性霍尔效应——量子几何实部Quantum metric引起的反常霍尔效应。

参考文献：

Anyuan Gao, et al. Nature, 595 521-525 (2021)；Anyuan Gao, et al. Science 381, 181-186 (2023)

Anyuan Gao, et al. Nature Electronics (2024)

主讲人介绍：

高安远，上海交通大学李政道研究所李政道学者、副教授，2023年获国家自然科学基金委优秀青年基金资助(海外优青)，入选上海海外高层次人才计划和浦江人才计划。2014年毕业于烟台大学光电信息与科学技术学院，获学士学位，2019年毕业于南京大学物理学院，获物理学博士学位，2019-2020年在南京大学物理学院担任助理研究员，2020-2024年在哈佛大学从事博士后研究，2024年初加入上海交通大学李政道研究所。主要研究方向为通过设计和制备量子器件，使用输运和光学手段研究二维材料中的新奇量子现象。目前发表学术论文30余篇，引用2900余次，h 因子23，其中以第一/共一作者在Nature、Science、Nature Nanotechnology、Nature Electronics、Science Advances、Advanced Materials、ACS Nano等国际著名期刊上发表论文近10篇，授权国内发明专利1项。